介质损耗角正切（或称介质损耗因数）通常用tanδ表示。测量tanδ值可以反映出绝缘介质损耗的大小。良好绝缘的 tanδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，特别是存在气隙，则 tanδ将随电压的升高呈现明显转折，如图所示。

tanδ与电压的关系曲线

影响tanδ的因素

1.温度的影响

温度对 tanδ的影响程度随材料、结构的不同而异。一般情况下，tanδ随温度上升而增加。为便于比较，应将不同温度下的tanδ值换算至20℃。应当指出，由于被试品的温度换算系数不是十分符合实际，换算后往往误差较大。因此，尽量在同

一温度或10~30℃温度范围内测量。

2.电压的影响

良好绝缘的 tanδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则tan8将随电压的升高而明显增加，tan6与电压的关系典型曲线如图所示。

tanδ与电压的关系典型曲线

1-绝缘良好的情况 2-绝缘老化的情况 3-绝缘中存在气隙的情况 4-绝缘受潮的情况

3.试品电容的影响

对电容量较小的设备(套管、互感器、耦合电容器等)，测量 tanδ能有效地发现局部集中性和整体分布性缺陷。但对电容量较大的设备(变压器、电力电缆等)，测量 tanδ只能发现整体分布性缺陷，如存在局部集中性缺陷，由于其引起的损耗仅占总损耗的很小一部分而被掩盖。换言之，tanδ发现缺陷的灵敏程度是由缺陷部分的体积占总体积的百分比决定的。

tanδ值测量结果分析

(1)与规程规定注意值(或警示值)比较。

(2)与历史数据比较，有时即使数据没有超标，但有明显增长趋势，也应引起注意。此时，可增加试验项目，以便对试品进行综合分析。

(3)与同类设备比较，数据不应有明显差异。